在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响

王福会¹，王胜刚¹，龙康¹，杨怀玉²，沈长斌³

(1.中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳,116016;
2.中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家,联合,实验室,沈阳,116016;
3.大连交通大学材料科学与工程学院,大连,116028)

摘要:研究了在稀硫酸溶液中添加硫脲(TU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)室温电化学腐蚀行为的影响,并与普通工业纯铁(CPII)的室温电化学腐蚀行为进行了比较.结果表明:将CPII在添加TU的稀硫酸溶液中浸泡5 min,其电化学阻抗(EIS)谱图中出现感抗弧.随着浸泡时间的延长,CPII的EIS谱图表现为一非圆心下偏的半圆;而在相同的条件下,BNII的EIS谱图表现为两个时间常数的容抗弧,表明硫脲对其腐蚀行为有促进作用.动电位极化(PDP)测试结果表明,两种材料的样品均出现阳极脱附现象.

关键词:材料失效与保护; 块体纳米晶工业纯铁(BNII); 硫脲(TU); 脱附现象;

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