镀铂栅极抑制电子发射性能研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第11期
论文作者：蒋军 柳襄怀 冯涛 邹世昌 王曦 江炳尧 张福民 任琮欣
关键词：电子发射; 离子束辅助沉积; 钼栅极; 铂膜;
摘 要：利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
蒋军1，柳襄怀1，冯涛1，邹世昌1，王曦1，江炳尧1，张福民1，任琮欣1
(1.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050)
摘要:利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:电子发射; 离子束辅助沉积; 钼栅极; 铂膜;
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