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Approach to Weaken Auto-doping Effect in Si CVD Epitaxy by Compensation in Opposite Direction

来源期刊:Rare Metals1998年第4期

论文作者:刘玉岭 金杰 徐晓辉

文章页码:3 - 5

摘    要:1IntroductionThinlayerepitaxywithhighresistivityisakeytechniquetodevelopIC(integratedcircuit)withhighintegrationandhighper...

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Approach to Weaken Auto-doping Effect in Si CVD Epitaxy by Compensation in Opposite Direction

刘玉岭,金杰,徐晓辉

摘 要:1IntroductionThinlayerepitaxywithhighresistivityisakeytechniquetodevelopIC(integratedcircuit)withhighintegrationandhighper...

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