自缓冲层对Bi4Ti3O12铁电薄膜结构和性能的影响
来源期刊：材料导报2008年增刊第2期
论文作者：左长明 张宇 王小平 姬洪 宋晓科
关键词：BIT; 自缓冲层; 择优取向; 应力; 摇摆曲线;
摘 要：铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系.采用X射线衍射( XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12(B1T)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理.3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:a轴择优的BIT薄膜性能最好.
左长明1，张宇1，王小平1，姬洪1，宋晓科1
(1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)
摘要:铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系.采用X射线衍射( XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12(B1T)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理.3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:a轴择优的BIT薄膜性能最好.
关键词:BIT; 自缓冲层; 择优取向; 应力; 摇摆曲线;
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