用电共沉积方法制备InGaAs薄膜
来源期刊：材料研究学报2001年第4期
论文作者：杨志伟 高元恺 韩爱珍 李浴春 王喜莲
关键词：InGaAs薄膜; 电共沉积;
摘 要：用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3～1.5μm.
杨志伟1，高元恺2，韩爱珍2，李浴春2，王喜莲2
(1.山东大学;
2.哈尔滨工业大学)
摘要:用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3～1.5μm.
关键词:InGaAs薄膜; 电共沉积;
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