温度梯度溶液法生长的Cr掺杂的ZnTe晶体的表征
来源期刊：无机材料学报2015年第4期
论文作者：杨睿 介万奇 孙晓燕 杨敏 呼唤 蔺云
文章页码：401 - 407
关键词：Cr掺杂ZnTe;晶体生长;Te夹杂相;电学和光学性能;
摘 要：以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大（>10 mm×10 mm）,且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入Zn Te中的Cr Te富集于固液界面处,表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的Zn Te晶体的电阻率（约1000?·cm）高于未掺杂的Zn Te（约300?·cm）。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了Zn Te中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低,表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。
杨睿，介万奇，孙晓燕，杨敏，呼唤，蔺云
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
摘 要：以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大（>10 mm×10 mm）,且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入Zn Te中的Cr Te富集于固液界面处,表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的Zn Te晶体的电阻率（约1000?·cm）高于未掺杂的Zn Te（约300?·cm）。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了Zn Te中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低,表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。
关键词：Cr掺杂ZnTe;晶体生长;Te夹杂相;电学和光学性能;
