金属有机化学气相沉积W薄膜

李一^1,2，李金普¹，贾成厂¹，柳学全²，李发长¹，李楠²

1. 北京科技大学材料科学与工程学院2. 钢铁研究总院粉末冶金研究室

摘 要：以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320～380℃,载气流量为160～200ml/min。

关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD);六羰基钨(W(CO)6);薄膜;