磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒
来源期刊：功能材料2008年第4期
论文作者：秦丽霞 李红 庄惠照 薛成山 陈金华 杨兆柱
关键词：纳米棒; GaN; 溅射; 单晶;
摘 要：使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒.采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分.研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒.最后讨论了GaN纳米棒的生长机理.
秦丽霞1，李红1，庄惠照1，薛成山1，陈金华1，杨兆柱1
(1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒.采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分.研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒.最后讨论了GaN纳米棒的生长机理.
关键词:纳米棒; GaN; 溅射; 单晶;
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