电弧气化法制备纳米ITO粉末及高密度ITO靶的研制
来源期刊：材料开发与应用2009年第3期
论文作者：张雪凤 王政红 邢朋飞 潘震
关键词：电弧气化法; 纳米; ITO粉; ITO靶;
摘 要：以纯度为99.99%的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30～70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99.74%,平均电阻率达到1.52×10-4Ω·cm,结构成份均匀,晶粒尺寸5～10μm左右的超高密度ITO靶材.
张雪凤1，王政红1，邢朋飞1，潘震2
(1.中国船舶重工集团公司第七二五研究所,河南,洛阳,471039;
2.广州广船国际股份有限公司军代表室,广东,广州,510000)
摘要:以纯度为99.99%的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30～70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99.74%,平均电阻率达到1.52×10-4Ω·cm,结构成份均匀,晶粒尺寸5～10μm左右的超高密度ITO靶材.
关键词:电弧气化法; 纳米; ITO粉; ITO靶;
【全文内容正在添加中】
