表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

何志¹，李卫青¹，李英爱¹，赵永年¹，顾广瑞¹，冯伟¹，刘丽华¹，赵春红¹

(1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023)

摘要:用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失.

关键词:氮化硼薄膜; 表面热处理; 场发射; 发射电流; 阈值电场;

【全文内容正在添加中】