平面Si/PCBM与纳米Si/PCBM有机-无机杂化异质结的对比研究（英文）

刘维峰¹，边继明^1,2，骆瑛琳¹，乔建坤¹，赵春一¹

1. 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室物理与光电工程学院2. 中国科学院特种无机涂层重点实验室

摘 要：本研究采用平面硅与纳米硅分别与旋涂法生长的[6,6]-苯基C61-丁酸甲酯（PCBM）形成有机–无机杂化异质结,对比研究了两种异质结界面电学特性的差异。结果显示,平面Si/PCBM和纳米Si/PCBM两种异质结都表现出明显的整流特性,但相对于平面Si/PCBM异质结,纳米Si/PCBM异质结有较大的导通电压和较小的电流密度。为了深入研究导致这种差异的相关物理机制,通过阻抗谱（IS）表征技术进一步研究了两种异质结因界面变化而产生的电阻、电容的变化趋势。阻抗测试分析表明,Si/PCBM异质结界面存在的大量缺陷致使寄生效应进一步增大,影响了器件中电荷的输运。

关键词：无机–有机异质结;纳米Si/PCBM;阻抗谱;瞬态光伏谱;