硫族元素取代法制备原子层厚的MoS₂-MoSe₂平面异质结

高万冬^1,2，黄威²，郑遗凡¹，金传洪²

1. 浙江工业大学化学工程学院2. 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室

摘 要：本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜（ADF-STEM）定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布。研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-MoSe2异质结构,该异质界面进一步作为取代反应中心逐渐向MoSe2晶畴内部扩展,最终形成具有原子级平整界面的MoS2-MoSe2平面异质结。

关键词：过渡金属硫族化合物;硫取代;扫描透射电子显微镜;平面异质结;