500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第1期
论文作者：余金中 成步文 李传波 王启明 罗丽萍 左玉华 赵雷
关键词：UHV/CVD; 拉曼测量; 光荧光; Si0.5Ge0.5; UHV/CVD; Raman Measurement; photoluminescence; Si0.5 Ge0.5;
摘 要：利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用.
余金中1，成步文1，李传波1，王启明1，罗丽萍1，左玉华1，赵雷1
(1.中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室,北京,100083)
摘要:利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用.
关键词:UHV/CVD; 拉曼测量; 光荧光; Si0.5Ge0.5; UHV/CVD; Raman Measurement; photoluminescence; Si0.5 Ge0.5;
【全文内容正在添加中】
