B1型碳化物与bcc铁基体共格界面能的电子理论计算与分析
来源期刊:稀有金属材料与工程2012年第10期
论文作者:贾斌 彭艳
文章页码:1725 - 1729
关键词:EET;Fe-M-C合金系;共格界面能;理论计算;
摘 要:运用固体与分子经验电子理论(EET),对Nb、Ti、V3种不同Fe-M-C合金系fcc铁基体(α)、析出的B1型碳化物(ξ)和α/ξ共格界面区(σ)各晶胞价电子结构进行了计算;在此基础上,通过共价键能将EET与离散点阵平面/最近邻断键(DLP/NNBB)模型结合,对以上3种不同合金系的B1型碳化物与bcc铁基体共格界面能进行了理论计算与分析。计算结果表明,合金元素在α/ξ界面区产生偏聚作用,增强了共价键络,产生了固溶强化作用;随着含碳量的增加,C-M偏聚作用增强,界面能逐渐增大;α/ξ共格界面能随温度增加而略有下降,变化范围为1.10~1.45J/m2,与相关文献所得结果一致,Fe-Nb-C合金系α/ξ共格界面能随温度下降最快;Fe-Nb-C合金系α/ξ共格界面能最大,故Nb元素对相变过程晶粒细化效果最好;随着合金元素含量的增加,固溶于铁基体和界面区的含碳量减少,偏聚作用减小,α/ξ共格界面能缓慢下降。
贾斌,彭艳
燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,轧制设备及成套技术教育部工程研究中心
摘 要:运用固体与分子经验电子理论(EET),对Nb、Ti、V3种不同Fe-M-C合金系fcc铁基体(α)、析出的B1型碳化物(ξ)和α/ξ共格界面区(σ)各晶胞价电子结构进行了计算;在此基础上,通过共价键能将EET与离散点阵平面/最近邻断键(DLP/NNBB)模型结合,对以上3种不同合金系的B1型碳化物与bcc铁基体共格界面能进行了理论计算与分析。计算结果表明,合金元素在α/ξ界面区产生偏聚作用,增强了共价键络,产生了固溶强化作用;随着含碳量的增加,C-M偏聚作用增强,界面能逐渐增大;α/ξ共格界面能随温度增加而略有下降,变化范围为1.10~1.45J/m2,与相关文献所得结果一致,Fe-Nb-C合金系α/ξ共格界面能随温度下降最快;Fe-Nb-C合金系α/ξ共格界面能最大,故Nb元素对相变过程晶粒细化效果最好;随着合金元素含量的增加,固溶于铁基体和界面区的含碳量减少,偏聚作用减小,α/ξ共格界面能缓慢下降。
关键词:EET;Fe-M-C合金系;共格界面能;理论计算;