基于单根TaON纳米带的光晶体管与紫外到近红外响应（英文）
来源期刊：无机材料学报2019年第9期
论文作者：陶友荣 陈晋强 吴兴才
文章页码：1004 - 1010
关键词：TaON纳米带;模板合成;场效应晶体管;光探测器;
摘 要：用Ta2O5纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带,典型的纳米带长约0.5 cm,横截面积40 nm×200 nm～400 nm×5600 nm。在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管;该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10–4cm2/（V·s）和3.4,在254～850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm （42 mW/cm2）的光照下,外加5.0 V的偏压时,光响应为249 mA/W,光开关比为11。因此,该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外,实验还控制合成出Ta2O5@TaON纳米带,并加工成单根纳米带的场效应晶体管,虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON纳米带,但仍算是一种好的光电材料。
陶友荣，陈晋强，吴兴才
南京大学化学化工学院教育部介观材料重点实验室配位化学国家重点实验室
摘 要：用Ta2O5纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带,典型的纳米带长约0.5 cm,横截面积40 nm×200 nm～400 nm×5600 nm。在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管;该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10–4cm2/（V·s）和3.4,在254～850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm （42 mW/cm2）的光照下,外加5.0 V的偏压时,光响应为249 mA/W,光开关比为11。因此,该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外,实验还控制合成出Ta2O5@TaON纳米带,并加工成单根纳米带的场效应晶体管,虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON纳米带,但仍算是一种好的光电材料。
关键词：TaON纳米带;模板合成;场效应晶体管;光探测器;
