ZnO压敏陶瓷的晶粒生长和电学性能
来源期刊：无机材料学报1999年第6期
论文作者：龚树萍 章天金 周东祥
关键词：晶粒生长; 电性能; 价态;
摘 要：研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响, 分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型, 应用晶粒生长的动力学方程: Gn=Dtexp(-()/RT)确定了晶粒生长的动力学指数和激活能. 实验结果表明: 对于低压ZnO压敏陶瓷, 其晶粒生长的动力学指数n=6, 激活能E=224±17kJ/mol, 随着Mn、Co价态的增加, ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小增加, 提高烧结温度, ZnO压敏陶瓷的压敏场强E 1mA降低, 漏电流I L增加, 非线性系数α降低. 在低压ZnO压敏陶瓷的制备过程中, 烧结温度以不超过1250℃为宜.
龚树萍1，章天金1，周东祥1
(1.华中理工大学电子科学与技术系,武汉,430074)
摘要:研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响, 分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型, 应用晶粒生长的动力学方程: Gn=Dtexp(-()/RT)确定了晶粒生长的动力学指数和激活能. 实验结果表明: 对于低压ZnO压敏陶瓷, 其晶粒生长的动力学指数n=6, 激活能E=224±17kJ/mol, 随着Mn、Co价态的增加, ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小增加, 提高烧结温度, ZnO压敏陶瓷的压敏场强E 1mA降低, 漏电流I L增加, 非线性系数α降低. 在低压ZnO压敏陶瓷的制备过程中, 烧结温度以不超过1250℃为宜.
关键词:晶粒生长; 电性能; 价态;
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