烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响

于晓华¹，荣菊²，詹肇麟¹，王远³

1. 昆明理工大学材料科学与工程学院2. 中国科学院金属研究所3. 西南林业大学机械与交通学院

摘 要：以ZnO粉末为主要原料,添加TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在不同烧结温度(1100~1250℃)与保温时间(1.0~2.5h)下制备ZnO压敏陶瓷。采用SEM观察陶瓷形貌,利用压敏电阻直流参数仪测试陶瓷的电学性能,研究烧结温度与保温时间对陶瓷结构和性能的影响。结果表明,随烧结温度升高,压敏电压、漏电流逐渐降低,而非线性系数先减小后增加。制备ZnO压敏陶瓷的适宜烧结温度与保温时间分别为1250℃、1h,压敏电压为17.0V/mm、漏电流为0.014mA、非线性系数为14.2,陶瓷内部晶粒可长大至128.7μm。

关键词：ZnO压敏陶瓷;烧结温度;保温时间;电学性能;微观结构;