晶界电性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响
来源期刊：材料导报2010年第22期
论文作者：祝铭 李玉科 郑嘹赢 程丽红 李国荣
文章页码：65 - 67
关键词：ZnO压敏;晶界;电性能;
摘 要：研究了传统烧结与热压烧结对ZnO压敏陶瓷显微结构和电性能的影响。采用扫描电镜观察（SEM）、电流-电压测试（I-V）、电容-偏压测试（C-V）以及阻抗谱等分析方法或测试手段研究了陶瓷的显微结构、电性能。结果表明,热压烧结增大了ZnO压敏陶瓷的烧结密度,提高了电性能。晶界特性参数测试结果表明,热压烧结还可以增强晶界特性。
祝铭1，李玉科2，郑嘹赢2，程丽红2，李国荣2
1. 上海电气输配电集团2. 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘 要：研究了传统烧结与热压烧结对ZnO压敏陶瓷显微结构和电性能的影响。采用扫描电镜观察（SEM）、电流-电压测试（I-V）、电容-偏压测试（C-V）以及阻抗谱等分析方法或测试手段研究了陶瓷的显微结构、电性能。结果表明,热压烧结增大了ZnO压敏陶瓷的烧结密度,提高了电性能。晶界特性参数测试结果表明,热压烧结还可以增强晶界特性。
关键词：ZnO压敏;晶界;电性能;
