忆阻器材料的研究进展
来源期刊：材料导报2012年第11期
论文作者：曲翔 徐文婷 肖清华 刘斌 闫志瑞 周旗钢
文章页码：31 - 35
关键词：忆阻器;薄膜材料;阻变机制;电激励;
摘 要：忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等;阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题。
曲翔1，徐文婷1,2，肖清华1，刘斌1，闫志瑞1，周旗钢1
1. 有研半导体材料股份有限公司2. 北京有色金属研究总院
摘 要：忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等;阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题。
关键词：忆阻器;薄膜材料;阻变机制;电激励;
