高温处理对ZnO薄膜及其忆阻性能的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2018年第4期
论文作者：胡令祥 施思齐 曹鸿涛 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞
文章页码：564 - 567
关键词：忆阻器;高温处理;ZnO;无电形成;
摘 要：本文研究了高温处理对ZnO薄膜及其忆阻效应的影响,发现利用经800℃高温处理后的ZnO薄膜制备的Cu/ZnO/Pt器件依然保持忆阻性能,并观察到无电形成过程的忆阻效应。研究表明,无电形成过程的原因在于高温处理后的ZnO薄膜出现了纳米级通道,使得在沉积顶电极Cu的过程中,形成天然的导电通道,使器件呈现低阻态。
胡令祥1,2，施思齐1，曹鸿涛2，梁凌燕2，张洪亮2，高俊华2，诸葛飞2
1. 上海大学材料科学与工程学院2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘 要：本文研究了高温处理对ZnO薄膜及其忆阻效应的影响,发现利用经800℃高温处理后的ZnO薄膜制备的Cu/ZnO/Pt器件依然保持忆阻性能,并观察到无电形成过程的忆阻效应。研究表明,无电形成过程的原因在于高温处理后的ZnO薄膜出现了纳米级通道,使得在沉积顶电极Cu的过程中,形成天然的导电通道,使器件呈现低阻态。
关键词：忆阻器;高温处理;ZnO;无电形成;
