纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第1期
论文作者：徐刚毅 王金良 王天民
关键词：纳米硅/单晶硅; Np异质结二极管; 输运机制;
摘 要：利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc－Si:H)，形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C－V和J－V测试研究了二极管的电学性质。C－V特性指出该异质结为突变型。J－V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（<0.8V）二极管电流由 耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定，纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度，这是该二极管温度稳定性好的根本原因；大偏压（>1.0V）时电输运符合电荷限制电流（SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。
徐刚毅1，王金良2，王天民1
(1.兰州大学材料科学系,;
2.北京航空航天大学理学院,)
摘要:利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc－Si:H)，形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C－V和J－V测试研究了二极管的电学性质。C－V特性指出该异质结为突变型。J－V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（<0.8V）二极管电流由 耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定，纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度，这是该二极管温度稳定性好的根本原因；大偏压（>1.0V）时电输运符合电荷限制电流（SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。
关键词:纳米硅/单晶硅; Np异质结二极管; 输运机制;
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