磁控溅射Y薄膜对钆中N、O含量的影响
来源期刊：功能材料2014年第17期
论文作者：李里 李国玲 韩丽辉 李星国
文章页码：17034 - 34074
关键词：磁控溅射;Y;N、O含量;
摘 要：在钆表面磁控溅射Y薄膜后真空退火,使Gd基体中的N、O等间隙杂质扩散到Y薄膜中进而去除基体金属中N、O等气体杂质。该方法对去除间隙杂质效果明显,钆中N、O浓度显著降低,钆中O、N浓度分别由1.87×10-4和9.7×10-5降为5.5×10-5,3.3×10-5。具体除杂量与其初始浓度和退火温度及时间有关,所得高纯钆用氧氮分析仪测量O含量,并对实验过程及结果进行讨论。
李里1，李国玲1,2，韩丽辉2，李星国1
1. 北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室2. 北京科技大学
摘 要：在钆表面磁控溅射Y薄膜后真空退火,使Gd基体中的N、O等间隙杂质扩散到Y薄膜中进而去除基体金属中N、O等气体杂质。该方法对去除间隙杂质效果明显,钆中N、O浓度显著降低,钆中O、N浓度分别由1.87×10-4和9.7×10-5降为5.5×10-5,3.3×10-5。具体除杂量与其初始浓度和退火温度及时间有关,所得高纯钆用氧氮分析仪测量O含量,并对实验过程及结果进行讨论。
关键词：磁控溅射;Y;N、O含量;
