高度(002)择优取向Li+掺杂ZnO薄膜的制备和性能
来源期刊：材料研究学报2007年第4期
论文作者：张树人 陈祝 杨成韬
关键词：无机非金属材料; 氧化锌薄膜; 射频磁控溅射; 择优取向; 氧分压;
摘 要：制备了不同摩尔浓度Li+掺杂ZnO-Li0.022陶瓷靶、并用RF射频磁控溅射工艺在Si(100)基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射温度、氧分压和溅射功率等对ZnO薄膜微结构、表面形貌和择优取向的影响.结果表明:Li+的最佳掺杂量(摩尔分数)为2.2%,RF溅射的最佳基片温度Ts小于300 ℃,氩氧气氛体积比为Ar:O2=20:5,溅射功率50～60 W;制备出的ZnO薄膜高度c轴(002)择优取向、均匀、致密,其绝缘电阻率ρ为4.12×108 Ω·cm,满足研制声表面波器件(SAW)的要求.
张树人1，陈祝2，杨成韬1
(1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;
2.成都信息工程学院通信工程系,成都,610225)
摘要:制备了不同摩尔浓度Li+掺杂ZnO-Li0.022陶瓷靶、并用RF射频磁控溅射工艺在Si(100)基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射温度、氧分压和溅射功率等对ZnO薄膜微结构、表面形貌和择优取向的影响.结果表明:Li+的最佳掺杂量(摩尔分数)为2.2%,RF溅射的最佳基片温度Ts小于300 ℃,氩氧气氛体积比为Ar:O2=20:5,溅射功率50～60 W;制备出的ZnO薄膜高度c轴(002)择优取向、均匀、致密,其绝缘电阻率ρ为4.12×108 Ω·cm,满足研制声表面波器件(SAW)的要求.
关键词:无机非金属材料; 氧化锌薄膜; 射频磁控溅射; 择优取向; 氧分压;
【全文内容正在添加中】
