自蔓延制备高纯二硅化钼粉体
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年增刊第1期
论文作者：王刚 周军 梁辉 周继伟 张红波 郜剑英
关键词：自蔓延高温合成; 二硅化钼; 化学炉;
摘 要：研究了利用化学炉自蔓延合成方法合成高纯二硅化钼粉体,以点燃的C和Ti粉混合物为化学炉,以NH4C1作为添加剂,成功的合成出高纯二硅化钼粉体.所得合成产物经XRD、XRF和SEM分析结果表明,添加有NH4C1的化学炉方法自蔓延合成出的二硅化钼粉体较常规自蔓延合成方法合成出的粉体,纯度高、杂质含量少,且粒度细、均匀.
王刚1，周军1，梁辉2，周继伟1，张红波1，郜剑英3
(1.中钢集团洛阳耐火材料研究院,河南,洛阳,471039;
2.天津大学天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验,天津,300072;
3.上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:研究了利用化学炉自蔓延合成方法合成高纯二硅化钼粉体,以点燃的C和Ti粉混合物为化学炉,以NH4C1作为添加剂,成功的合成出高纯二硅化钼粉体.所得合成产物经XRD、XRF和SEM分析结果表明,添加有NH4C1的化学炉方法自蔓延合成出的二硅化钼粉体较常规自蔓延合成方法合成出的粉体,纯度高、杂质含量少,且粒度细、均匀.
关键词:自蔓延高温合成; 二硅化钼; 化学炉;
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