SiC/MoSi2高温抗氧化涂层的制备及性能探究（英文）
来源期刊：稀有金属材料与工程2016年第10期
论文作者：符文彬 代明江 韦春贝 赵明纯 胡亮 侯惠君 林松盛
文章页码：2543 - 2548
关键词：C/C复合材料;质量损失;氧化;磁控溅射;
摘 要：采用磁控溅射法在C/C复合材料表面制备Si C/Mo Si2抗氧化涂层,并利用SEM、XRD以及EDS等测试手段对抗氧化涂层的组织结构、抗氧化性能和抗氧化机制进行了研究。结果表明,用磁控溅射法制得的涂层结构致密、厚度均匀可控,呈柱状晶。在1500℃静态氧化60 min后涂层试样的氧化质量损失为3.2×10-2g·cm-2,涂层表现出优异的抗氧化保护性能。导致C/C基体被氧化失重的主要原因是涂层中沿晶界产生的贯穿裂纹为氧气进入基体表面提供了通道。
符文彬1,2，代明江2，韦春贝2，赵明纯1，胡亮1，侯惠君2，林松盛2
1. 中南大学2. 广州有色金属研究院
摘 要：采用磁控溅射法在C/C复合材料表面制备Si C/Mo Si2抗氧化涂层,并利用SEM、XRD以及EDS等测试手段对抗氧化涂层的组织结构、抗氧化性能和抗氧化机制进行了研究。结果表明,用磁控溅射法制得的涂层结构致密、厚度均匀可控,呈柱状晶。在1500℃静态氧化60 min后涂层试样的氧化质量损失为3.2×10-2g·cm-2,涂层表现出优异的抗氧化保护性能。导致C/C基体被氧化失重的主要原因是涂层中沿晶界产生的贯穿裂纹为氧气进入基体表面提供了通道。
关键词：C/C复合材料;质量损失;氧化;磁控溅射;
