衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响
来源期刊：功能材料2009年第11期
论文作者：陈伟绩 王文彦 吴爱民 秦福文
关键词：GaN; 氮化; ECR-PEMOCVD; 玻璃衬底; GaN; nitridation; ECR-PEMOCVD; glass substrate;
摘 要：采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.
陈伟绩1，王文彦1，吴爱民1，秦福文1
(1.大连理工大学,三束材料改性重点实验室,辽宁,大连,116024)
摘要:采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.
关键词:GaN; 氮化; ECR-PEMOCVD; 玻璃衬底; GaN; nitridation; ECR-PEMOCVD; glass substrate;
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