短切SiC_f/LAS复合材料的显微结构与介电性能
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第12期
论文作者：罗发 翟晓勇 朱冬梅 周万城
关键词：短切SiC纤维; LAS玻璃陶瓷; 介电性能; chopping SiC_f; LAS glass-ceramic; dielectric properties;
摘 要：采用热压烧结法制备出致密的短切SiC_f增强LAS玻璃陶瓷复合材料,并讨论保温时间与热压压力对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8～12 GHz之间,复合材料复介电常数实部ε′由基体的7.6上升到10～100,虚部ε″由基体的0.34上升到40～160,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1～20,并具有明显的频散效应.随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料ε′增大,ε″与tgδ减小.此外,断口形貌的SEM观察表明,随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料界面层变厚.
罗发1，翟晓勇1，朱冬梅1，周万城1
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072)
摘要:采用热压烧结法制备出致密的短切SiC_f增强LAS玻璃陶瓷复合材料,并讨论保温时间与热压压力对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8～12 GHz之间,复合材料复介电常数实部ε′由基体的7.6上升到10～100,虚部ε″由基体的0.34上升到40～160,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1～20,并具有明显的频散效应.随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料ε′增大,ε″与tgδ减小.此外,断口形貌的SEM观察表明,随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料界面层变厚.
关键词:短切SiC纤维; LAS玻璃陶瓷; 介电性能; chopping SiC_f; LAS glass-ceramic; dielectric properties;
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