掺杂不同质量分数Y₂O₃、MgO对Al₂O₃陶瓷显微结构及介电性能的影响

来源期刊：粉末冶金技术2017年第4期

论文作者：洪逍 章林 贾成厂 秦恬

文章页码：255 - 262

关键词：Al2O3陶瓷;掺杂;放电等离子烧结;显微结构;介电性能;

摘    要：利用放电等离子烧结技术制备了不同质量分数Y₂O₃单独掺杂及不同质量分数Y₂O₃、MgO共同掺杂的Al₂O₃陶瓷,研究了烧结助剂掺杂质量分数对Al₂O₃陶瓷显微结构及介电性能的影响。结果表明,孔隙率是影响Al₂O₃陶瓷介电性能的主要因素;单独掺杂质量分数为0.25% Y₂O₃时,Al₂O₃陶瓷得到最优的介电性能,介电常数（ε_r）为9.5±0.2,介质损耗（tanδ）稳定在10^-3数量级以内;同时掺杂Y₂O₃和MgO能进一步改善其介电性能,当两者质量分数均为0.25%时,得到最优值,介电常数（ε_r）为10.3±0.2,介质损耗（tanδ）稳定在8×10^-4以下。