HfCx缺位陶瓷的价电子结构与性能
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第10期
论文作者：孟松鹤 李金平 张幸红 梁军
关键词：HfCx; 缺位固溶体; EET; 价电子结构; 性能;
摘 要：HfC在制备或服役过程中易出现C的缺位生成HfCx缺位固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对缺位固溶体的价电子结构进行分析,并与HfC基体进行比较.结果表明,随着x值的减小,即C原子缺位的增加,HfCx固溶体的晶胞常数逐渐缩小,最强共价键数、最强共价键键能、共价键数百分比逐渐减小,表明硬度、强度、结合能、熔点都逐渐下降;金属性逐渐增加,固溶体的韧性、导电性能、烧结性能逐渐改善.
孟松鹤1，李金平1，张幸红1，梁军1
(1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001)
摘要:HfC在制备或服役过程中易出现C的缺位生成HfCx缺位固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对缺位固溶体的价电子结构进行分析,并与HfC基体进行比较.结果表明,随着x值的减小,即C原子缺位的增加,HfCx固溶体的晶胞常数逐渐缩小,最强共价键数、最强共价键键能、共价键数百分比逐渐减小,表明硬度、强度、结合能、熔点都逐渐下降;金属性逐渐增加,固溶体的韧性、导电性能、烧结性能逐渐改善.
关键词:HfCx; 缺位固溶体; EET; 价电子结构; 性能;
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