CVD高纯钛的热力学分析
来源期刊：有色金属(冶炼部分)2009年第1期
论文作者：陈肖虎 刘义敏
关键词：CVD; 高纯钛; 热力学; 源区; 沉积区;
摘 要：以粗钛和自制的卤化剂为原料,采用化学气相沉积法(CVD)制得高纯钛.结合热力学和晶体形核一长大理论对CVD高纯钛的反应热力学和成核热力学因素进行了分析,并依据热力学分析结果,重点归纳了温度对CVD高纯钛沉积速率的影响,并结合实验对分析结果作出优化,得出了CVD法生产高纯钛的最佳温度控制条件:碘化源区温度应控制在750～850 K,沉积区温度应控制在1 350～1 450 K.
陈肖虎1，刘义敏1
(1.贵州大学材料科学与冶金工程学院,贵州贵阳,550003)
摘要:以粗钛和自制的卤化剂为原料,采用化学气相沉积法(CVD)制得高纯钛.结合热力学和晶体形核一长大理论对CVD高纯钛的反应热力学和成核热力学因素进行了分析,并依据热力学分析结果,重点归纳了温度对CVD高纯钛沉积速率的影响,并结合实验对分析结果作出优化,得出了CVD法生产高纯钛的最佳温度控制条件:碘化源区温度应控制在750～850 K,沉积区温度应控制在1 350～1 450 K.
关键词:CVD; 高纯钛; 热力学; 源区; 沉积区;
【全文内容正在添加中】
