基底温度对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的影响研究
来源期刊：材料导报2010年第4期
论文作者：高雁军 任山令 左安友 杨建平 李兴鳌 李永涛 袁作彬
关键词：氮化铜薄膜; 直流磁控溅射; 基底温度; 热稳定性; Cu3N films; DC magnetron sputtering; substrate temperature; thermal stability;
摘 要：采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu_3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响.结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体,只有明显的Cu晶体.随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13～28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大.
高雁军1，任山令2，左安友1，杨建平2，李兴鳌2，李永涛2，袁作彬1
(1.湖北民族学院理学院,恩施,445000;
2.南京邮电大学理学院,南京,210046)
摘要:采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu_3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响.结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体,只有明显的Cu晶体.随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13～28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大.
关键词:氮化铜薄膜; 直流磁控溅射; 基底温度; 热稳定性; Cu3N films; DC magnetron sputtering; substrate temperature; thermal stability;
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