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气流场强度对直流磁控溅射ZAO薄膜性能的影响

来源期刊:材料导报2007年第5期

论文作者:马勇 靳铁良 殷胜东

关键词:ZAO薄膜; 直流反应磁控溅射; 气流场强度; 电导率; 透射率;

摘    要:用含2%Al的Zn/Al合金靶材,在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品.定义气流场强度等于总气流量除以总气压.结果表明:气流场强度的大小对ZAO薄膜的表面形貌和电导率有较大影响,对可见光的透射率影响不大.在Ar气压强为0.3Pa,流量为22sccm,O2气压强为0.08Pa,流量为10sccm,气流场强度约为84sccm/Pa时制备ZAO薄膜的最低电阻率为4.2×10-4Ω·cm,可见光透射率为90%.

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气流场强度对直流磁控溅射ZAO薄膜性能的影响

马勇1,靳铁良2,殷胜东1

(1.重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆,400047;
2.平顶山学院物理学与电气信息工程学院,平顶山,467002)

摘要:用含2%Al的Zn/Al合金靶材,在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品.定义气流场强度等于总气流量除以总气压.结果表明:气流场强度的大小对ZAO薄膜的表面形貌和电导率有较大影响,对可见光的透射率影响不大.在Ar气压强为0.3Pa,流量为22sccm,O2气压强为0.08Pa,流量为10sccm,气流场强度约为84sccm/Pa时制备ZAO薄膜的最低电阻率为4.2×10-4Ω·cm,可见光透射率为90%.

关键词:ZAO薄膜; 直流反应磁控溅射; 气流场强度; 电导率; 透射率;

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