铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究
来源期刊：材料科学与工程学报2001年第3期
论文作者：宋世庚 马远新 侯识华 郑毓峰
关键词：Sol-Gel法; PLZT; 铁电薄膜; 铅过量; 电 学性质;
摘 要：采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响. 结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(110)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变.铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能.
宋世庚1，马远新2，侯识华1，郑毓峰3
(1.中国科学院新疆物理研究所;
2.新疆医科大学;
3.新疆大学物理系)
摘要:采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响. 结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(110)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变.铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能.
关键词:Sol-Gel法; PLZT; 铁电薄膜; 铅过量; 电 学性质;
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