4H-SiC高速同质外延研究
来源期刊：无机材料学报2012年第8期
论文作者：朱明星 石彪 陈义 刘学超 施尔畏
文章页码：785 - 789
关键词：碳化硅;同质外延;结晶缺陷;表面形貌缺陷;
摘 要：研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错（BPDs）转变成露头刃位错（TEDs）.在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.
朱明星1,2，石彪1,2，陈义1，刘学超1，施尔畏1
1. 中国科学院上海硅酸盐研究所2. 中国科学院研究生院
摘 要：研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错（BPDs）转变成露头刃位错（TEDs）.在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.
关键词：碳化硅;同质外延;结晶缺陷;表面形貌缺陷;
