热丝CVD工艺参数对GeSi薄膜键结构影响的研究

来源期刊：功能材料2010年第10期

论文作者：黄海宾 沈鸿烈 吴天如 张磊 岳之浩

文章页码：1699 - 3406

关键词：热丝CVD;锗硅薄膜;键结构;热丝温度;锗烷硅烷流量比;

摘    要：对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究。用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键（Ge—Ge、Ge—Si和Si—Si）相对含量的变化和极性键（Ge—H、Ge—H2、Si—H等H键）相对含量的变化进行了分析。研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的GeSi薄膜中非极性键和极性键的影响规律是不同的。热丝温度和锗烷硅烷流量比（RS/G）对非极性键相对含量的变化均有影响。随着热丝温度上升Ge—Si和Si—Si相对含量均增加。随着RS/G增加Si—Si相对含量一直增加,Ge—Si相对含量先增加,当RS/G>1.4时开始下降。但热丝温度和RS/G对H键的影响规律有很大不同:随着RS/G增加,Si—H键的相对含量增加,Ge—H和Ge—H2键的相对含量减少,而热丝温度对H键相对含量基本无影响。