Co掺杂对CeO2显微结构及磁性能的影响
来源期刊：磁性材料及器件2009年第5期
论文作者：杨许文 张怀武 苏桦 宋远强
关键词：稀磁氧化物半导体; Co掺杂CeO2; 微结构; 磁性能;
摘 要：近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注.用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响.结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co).
杨许文1，张怀武1，苏桦1，宋远强1
(1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054)
摘要:近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注.用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响.结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co).
关键词:稀磁氧化物半导体; Co掺杂CeO2; 微结构; 磁性能;
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