氨化硅基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜性质研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第5期
论文作者：王书运 庄惠照 魏芹芹 薛成山 孙振翠
关键词：GaN; Ga2O3/Al2O3膜; 氨化; 磁控溅射;
摘 要：研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜.用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析.通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15 nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15 min.
王书运1，庄惠照1，魏芹芹1，薛成山1，孙振翠1
(1.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜.用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析.通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15 nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15 min.
关键词:GaN; Ga2O3/Al2O3膜; 氨化; 磁控溅射;
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