SiC晶须的原位生长及其在C/C复合材料抗氧化涂层中的应用

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2010年第3期

论文作者：李军 张翔 廖寄乔 谭周建

文章页码：277 - 282

关键词：碳化硅晶须;长径比;CNT-SiCw复合涂层;CVD;

摘    要：以三氯甲基硅烷（CH3SiCl3,MTS）为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须（SiCw）,制备CNT-SiCw抗氧化涂层,并在1 100℃、空气中对该氧化涂层进行10 h抗氧化实验,研究SiCw的制备工艺以及SiCw在C/C复合材料抗氧化涂层中的作用。结果表明:制备碳化硅晶须的最佳工艺为:温度1 100℃、常压、载气和稀释气体流量均为100 mL/min。在此工艺下,沉积时间为15 min时,能制备出高长径比、平均直径约100 nm的碳化硅晶须。有CNT-SiCw涂层C/C复合材料试样在空气中氧化后的质量损失率仅0.7%,没有涂层的试样的质量损失率约为15%。