InGaAs红外探测器低频噪声研究
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：庄春泉 张永刚 龚海梅 李萍 黄杨程 刘大福 梁晋穗
关键词：红外探测器; 低频噪声; 空间遥感;
摘 要：红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5～7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.
庄春泉1，张永刚2，龚海梅1，李萍1，黄杨程1，刘大福1，梁晋穗1
(1.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;
2.信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统所,上海,200050)
摘要:红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5～7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.
关键词:红外探测器; 低频噪声; 空间遥感;
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