中波碲镉汞边缘接触不对称MIS结构的低频噪声
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第3期
论文作者：张燕 方家熊
关键词：碲镉汞; 探测器; 叠层结构; 低频噪声;
摘 要：对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大.针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型.分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因.
张燕1，方家熊1
(1.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083)
摘要:对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大.针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型.分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因.
关键词:碲镉汞; 探测器; 叠层结构; 低频噪声;
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