基片上薄膜生长过程的计算机模拟
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：刘昌辉 何华辉
关键词：薄膜生长; 沉积; 计算机模拟;
摘 要：根据薄膜的成核统计理论,考虑吸附粒子的碰撞、迁移、蒸发等因素,针对薄膜单层和多层核生长类型的生长,用计算机进行仿真模拟.同时研究了几种因素对粒子沉积成膜的影响.根据计算机模拟情况,得出了粒子百分变化与成团粒子百分变化关系、生长过程对粒子沉积成膜的影响.论证了按成核理论下的随机统计规律生成的多层粒子膜,其厚度方面的不均匀性与实际是一致的.并给出了计算机模拟研究薄膜微观生长过程的立体图象.
刘昌辉1，何华辉1
(1.华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074)
摘要:根据薄膜的成核统计理论,考虑吸附粒子的碰撞、迁移、蒸发等因素,针对薄膜单层和多层核生长类型的生长,用计算机进行仿真模拟.同时研究了几种因素对粒子沉积成膜的影响.根据计算机模拟情况,得出了粒子百分变化与成团粒子百分变化关系、生长过程对粒子沉积成膜的影响.论证了按成核理论下的随机统计规律生成的多层粒子膜,其厚度方面的不均匀性与实际是一致的.并给出了计算机模拟研究薄膜微观生长过程的立体图象.
关键词:薄膜生长; 沉积; 计算机模拟;
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