基于SCR的SOI ESD保护器件研究

来源期刊：功能材料与器件学报2012年第1期

论文作者：夏超 王中健 何大伟 徐大伟 张有为 程新红 俞跃辉

文章页码：17 - 22

关键词：SOI ESD;SCR;Sentaurus;保护器件;

摘    要：本文具体分析了体硅SCR（晶闸管）和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量（9*13-8*14cm-2）增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度（0.8-1.1μm）增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度（2-4.5μm）增加,触发电压和维持电压均增加。