KH-570修饰的SiO2膜制备及CH4/CO2的分离
来源期刊：功能材料2012年第5期
论文作者：李文秀 张兵 陈立峰 张冰 张志刚
文章页码：638 - 641
关键词：SiO2膜;接触角;疏水性;气体渗透;分离因子;
摘 要：采用KH-570代替部分TEOS为前驱物,共水解缩聚反应制得疏水性SiO2膜,通过IR、DTG、SEM、接触角测试仪等手段对KH-570修饰后的SiO2膜进行表征,并对CH4和CO2渗透和分离进行研究。实验结果表明,修饰后（0.8KH-570）SiO2膜接触角达到94.2°,红外光谱分析表明修饰后SiO2膜疏水性增强;（0.8KH-570）SiO2膜具有完整性及在400℃水热稳定性;压差30kPa,分离因子随涂膜次数增加先增大后减小,涂膜5次达最大值2.13,超越了努森扩散理论分离因子1.66,此时分离效果好;对于涂膜5次的SiO2膜,CH4渗透通量随压差增加呈现非线性微增趋势,CH4/CO2分离因子几乎不变。
李文秀，张兵，陈立峰，张冰，张志刚
沈阳化工大学化学工程学院
摘 要：采用KH-570代替部分TEOS为前驱物,共水解缩聚反应制得疏水性SiO2膜,通过IR、DTG、SEM、接触角测试仪等手段对KH-570修饰后的SiO2膜进行表征,并对CH4和CO2渗透和分离进行研究。实验结果表明,修饰后（0.8KH-570）SiO2膜接触角达到94.2°,红外光谱分析表明修饰后SiO2膜疏水性增强;（0.8KH-570）SiO2膜具有完整性及在400℃水热稳定性;压差30kPa,分离因子随涂膜次数增加先增大后减小,涂膜5次达最大值2.13,超越了努森扩散理论分离因子1.66,此时分离效果好;对于涂膜5次的SiO2膜,CH4渗透通量随压差增加呈现非线性微增趋势,CH4/CO2分离因子几乎不变。
关键词：SiO2膜;接触角;疏水性;气体渗透;分离因子;
