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基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响

来源期刊:工程科学学报1999年第4期

论文作者:钟国仿 申发振 唐伟忠 吕反修

文章页码:353 - 356

关键词:金刚石;薄膜;基片温度;生长速率;

摘    要:研究直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜系统中,基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响.实验发现,金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而单调增加,但是金刚石膜中非金刚石碳的质量分数先是随基片温度的增加而降低,在1000~1100℃达到最低值以后又开始随基片温度的增加而增加.

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基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响

钟国仿,申发振,唐伟忠,吕反修

摘 要:研究直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜系统中,基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响.实验发现,金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而单调增加,但是金刚石膜中非金刚石碳的质量分数先是随基片温度的增加而降低,在1000~1100℃达到最低值以后又开始随基片温度的增加而增加.

关键词:金刚石;薄膜;基片温度;生长速率;

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