Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜
来源期刊：功能材料2013年第4期
论文作者：肖清泉 谢泉 沈向前 张晋敏 陈茜
文章页码：585 - 589
关键词：半导体薄膜;Mg2Si;磁控溅射;热处理;表征;
摘 要：采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空（10-1～10-2Pa）条件下热处理温度（350～550℃）和热处理时间（3～7h）对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
肖清泉，谢泉，沈向前，张晋敏，陈茜
贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所
摘 要：采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空（10-1～10-2Pa）条件下热处理温度（350～550℃）和热处理时间（3～7h）对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
关键词：半导体薄膜;Mg2Si;磁控溅射;热处理;表征;
