硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究

来源期刊：材料导报2010年第11期

论文作者：陈剑辉 刘保亭 赵冬月 杨林 李曼 刘卓佳 赵庆勋

文章页码：58 - 135

关键词：Cu互连;扩散阻挡层;失效机制;

摘    要：随着集成电路向超大规模的发展,Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题,其关键技术之一——扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注。结合课题组阻挡层的研究工作,介绍了当前Cu互连技术中难熔金属及其氮(碳、硅、氧)化物、多层膜、三元化合物等各类扩散阻挡层材料的研究发展现状,论述了阻挡层的厚度问题、阻挡层研究过程中的分析表征方法以及当前Cu互连的理论研究现状,归纳并分析了阻挡层的失效机制。