碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：卢铁城 廖志君 伍登学 范强 刘振良 杨水长
关键词：电子束蒸发; 碳化硼薄膜; XRD; XPS; electron beam evaporation; boron carbide thin films; XRD; XPS;
摘 要：采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构,测量了薄膜的X射线光电子能谱(XPS),并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析.XRD结果表明:薄膜的结晶性随着衬底温度的升高逐渐转好,在较低的衬底温度下制备出多晶碳化硼薄膜.XPS分析得到了碳化硼薄膜表面的化学成分和结构特性,其主要成分为B_4C.AFM结果表明,薄膜表面光滑平整、均匀致密,随着衬底温度的升高薄膜均方根(RMS)粗糙度逐渐增大.
卢铁城1，廖志君1，伍登学1，范强1，刘振良1，杨水长1
(1.四川大学,技术教育部重点实验室,四川,成都,610064;
2.中科院国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110015)
摘要:采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构,测量了薄膜的X射线光电子能谱(XPS),并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析.XRD结果表明:薄膜的结晶性随着衬底温度的升高逐渐转好,在较低的衬底温度下制备出多晶碳化硼薄膜.XPS分析得到了碳化硼薄膜表面的化学成分和结构特性,其主要成分为B_4C.AFM结果表明,薄膜表面光滑平整、均匀致密,随着衬底温度的升高薄膜均方根(RMS)粗糙度逐渐增大.
关键词:电子束蒸发; 碳化硼薄膜; XRD; XPS; electron beam evaporation; boron carbide thin films; XRD; XPS;
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