温度对传感器气敏材料电阻的影响研究
来源期刊：材料导报2009年第6期
论文作者：丁继军 马书懿 陈海霞
关键词：气敏材料; 电阻; 温度; 晶界势垒;
摘 要：从传感器气敏材料的电阻微小变化中可得到许多有用的信息,其电阻对材料的温度非常敏感.实验中所用传感器的气敏材料是在配有加热器的铝基底上沉积SnO2薄膜,通过控制加热器上的电压来改变气敏材料的温度(温度变化范围为25～400℃),研究了温度对材料电阻的影响.通过分析电阻随温度的变化,基于晶界势垒控制模型得到了关于电阻随温度变化的新经验方程,并将此方程的计算结果与实验结果进行了比较.结果表明,此方程可很好地描述某些型号的传感器电阻对温度的依赖行为.
丁继军1，马书懿1，陈海霞1
(1.西北师范大学物理与电子工程学院物理系,兰州,730070)
摘要:从传感器气敏材料的电阻微小变化中可得到许多有用的信息,其电阻对材料的温度非常敏感.实验中所用传感器的气敏材料是在配有加热器的铝基底上沉积SnO2薄膜,通过控制加热器上的电压来改变气敏材料的温度(温度变化范围为25～400℃),研究了温度对材料电阻的影响.通过分析电阻随温度的变化,基于晶界势垒控制模型得到了关于电阻随温度变化的新经验方程,并将此方程的计算结果与实验结果进行了比较.结果表明,此方程可很好地描述某些型号的传感器电阻对温度的依赖行为.
关键词:气敏材料; 电阻; 温度; 晶界势垒;
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