碳源流量对碳纳米管厚膜形貌和结构的影响
来源期刊：无机材料学报2006年第1期
论文作者：郭平生 孙卓 曹章轶 陈奕卫
关键词：碳纳米管(CNTs); 化学气相沉积(CVD); 扫描电镜(SEM); 透射电镜(TEM); 拉曼光谱;
摘 要：采用低压化学气相沉积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400～1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜,研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌和结构的影响.随乙炔流量的增加,碳纳米管薄膜厚度和产量增大.电子显微镜和拉曼光谱研究结果表明,在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳米管直径分布范围最小(10～100nm),石墨化程度最高,缺陷密度最小,晶形最完整.随着乙炔流量的增大(30～90sccm),碳纳米管的直径分布范围增大(10～300nm),石墨化程度降低,缺陷密度增大,非晶化程度增加.因此,通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构.
郭平生1，孙卓1，曹章轶1，陈奕卫1
(1.华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心,上海,200062)
摘要:采用低压化学气相沉积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400～1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜,研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌和结构的影响.随乙炔流量的增加,碳纳米管薄膜厚度和产量增大.电子显微镜和拉曼光谱研究结果表明,在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳米管直径分布范围最小(10～100nm),石墨化程度最高,缺陷密度最小,晶形最完整.随着乙炔流量的增大(30～90sccm),碳纳米管的直径分布范围增大(10～300nm),石墨化程度降低,缺陷密度增大,非晶化程度增加.因此,通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构.
关键词:碳纳米管(CNTs); 化学气相沉积(CVD); 扫描电镜(SEM); 透射电镜(TEM); 拉曼光谱;
【全文内容正在添加中】
