钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第7期
论文作者：王邹平 秦丽霞 李红 庄惠照 陈金华 薛成山 王英 杨兆柱
关键词：纳米结构; 氮化物; 溅射; nanostructures; nitrides; sputtering;
摘 要：利用磁控溅射技术通过氮化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明;制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60 nm,其最大长度可达10 μm左右.室温下光致发光谱测试发现363 nm处的较强紫外发光峰.另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制.
王邹平1，秦丽霞1，李红1，庄惠照1，陈金华1，薛成山1，王英1，杨兆柱1
(1.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:利用磁控溅射技术通过氮化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明;制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60 nm,其最大长度可达10 μm左右.室温下光致发光谱测试发现363 nm处的较强紫外发光峰.另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制.
关键词:纳米结构; 氮化物; 溅射; nanostructures; nitrides; sputtering;
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